閘流管出現(xiàn)于20世紀20年代末。早期的閘流管為靜電控制閘流管,管內(nèi)充有惰性氣體或汞蒸氣。在第二次世界大戰(zhàn)中,隨著雷達的發(fā)展又研制出氫閘流管。
閘流管是在陰極-陽極之間有一個或多個柵極、具有控制特性的熱陰極充氣管。
柵極加上正向電壓后,陰極發(fā)射出的電子便在電場的作用下向柵極運動。在運動過程中,電子不斷與氣體分子相碰撞,使部分氣體分子電離,形成新的電子和離子。新的電子也向柵極運動,又會出現(xiàn)新的電離;而離子向陰極運動在適當?shù)臈l件下就能在極短的時間內(nèi)發(fā)生“雪崩式”過程,在陰極-柵極間形成等離子區(qū)(見氣體放電)。這時,如陽極具有足夠高的正向電壓,那么,在陽極電場的作用下,等離子區(qū)里的部分電子將得到加速,在陽極-柵極空間使氣體分子電離。極-柵極間的等離子區(qū)迅速擴展到陽極-柵極空間。這時,整個閘流管導通,柵極失去控制能力。只有在陽極電壓降得很低,不足以維持放電電流時,放電才會熄滅。管子在放電熄滅以后還要經(jīng)過一段消電離時間,待放電空間等離子區(qū)消失后,柵極才能恢復原來的控制功能,準備下一次工作。
靜電控制閘流管的柵極加負偏壓,信號電壓加上后,陰極發(fā)射的部分電子穿過柵極進入陽極-柵極空間,在陽極電場的作用下產(chǎn)生“雪崩式”放電,使閘流管導通。
1、要有一定的預熱時間。
2、閘流管燈絲電壓要求穩(wěn)定。
3、氫氣要保證。
4、保證閘流管柵極電壓的脈寬、幅度等參數(shù)符合要求。
5、閘流管需保持良好的通風散熱狀態(tài)。
6、隨時監(jiān)測閘流管工作時產(chǎn)生的聲音和弧光。
閘流管在工作一段時間以后,由于靜電吸附作用,將有一些灰塵粘在管外壁上,對玻璃管而言,可以用紗布蘸純度高的酒精液擦拭;對陶瓷管而言,需用干的絲綢布來擦拭,不要用酒精。千萬不能用水!
閘流管一般作為調(diào)制器的開關(guān)元件。在核聚變、加速器、激光、等離子體研究、航天、醫(yī)學等方面都有廣泛的應用。
規(guī)則1為了導通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT,直至負載電流達到≧IL。這條件必須滿足,并按可能遇到的溫度考慮。
規(guī)則2.要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須<IH,并維持足夠長的時間,使能回復至截止狀態(tài)。在可能的運行溫度下必須滿足上述條件。
規(guī)則3.設計雙向可控硅觸發(fā)電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,G+)。
規(guī)則4.為減少雜波吸收,門極連線長度降至。返回線直接連至MT1(或陰極)。若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。
規(guī)則5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。
規(guī)則6.假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。
規(guī)則7.選用好的門極觸發(fā)電路,避開3+象限工況,可以限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。
規(guī)則8.若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負載上串聯(lián)一個幾μH的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導通。
規(guī)則9.器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。
規(guī)則10.為了長期可靠工作,應保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax,其值相應于可能的環(huán)境溫度。
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